眾所周知，MOS場效應管屬于電壓驅(qū)動型，但是可以看到很多mos的規(guī)格書里，強調(diào)的是G級的驅(qū)動電流，那么它到底和電流有什么關系呢？

TO-252封裝圖               

首先我們要知道，由于生產(chǎn)工藝和結構的關系，MOSFET的GS間和GD之間都存在著一個寄生電容，在驅(qū)動MOS管導通的過程中，需要給GS間的寄生電容充電，在GS電容充電到一定程度后需要給GD之間的電容充電，即米勒平臺過程。

MOS寄生電容示意圖                

當MOSFET開通時，此電容會放電，從驅(qū)動端索取電流，才能使柵極電壓升高，這個電容會影響驅(qū)動時柵極電壓的上升率，同時在DS間存在miller電容，當MOSFET開通時，此電容會放電，從驅(qū)動端索取電流，從而使柵極電壓上升率降低。如果驅(qū)動電流不夠，導致MOS管從關斷到導通的過渡狀態(tài)時間太長，會加大MOS管的損耗。關斷時，如果驅(qū)動電流不夠，導致柵極電壓下降速度慢，也會加大MOS的損耗。而且開通時間過長也有可能影響后級電路運行和整體電路邏輯。

這就是MOS管為什么屬于電壓驅(qū)動型但是大多數(shù)情況下規(guī)格書里都是寫的G級驅(qū)動電流的原因了。

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